靠得住性（Reliability）是衡量产品耐久力的指标，典型IC产品的性命周期通
？捎靡惶踉「浊撸˙athtub Curve）来暗示。

如上图所示，集成电路的失效原因大体可分为三个阶段：

Region (I) 被称作早夭期（Infancy period），此阶段产品的失效能急剧降落，失效原因源于IC设计和出产过程中的缺点；

Region (II) 被称为使用期（Useful life period），该阶段产品的失效能维持不变，失效原因往往拥有随机性，例如温度变动等；

Region (III) 被叫做磨耗期（Wear - Out period），这一阶段产品的失效能会迅速升高，失效原因是产品持久使用导致的老化等问题。

军工级器件老化筛选

元器件寿命试验、ESD等级、Latch_up测试评价、凹凸温机能分析试验、集成电路微缺点分析、封装缺点无损检测及分析、电迁徙与热载流子评价分析

凭据试验等级可分为以下几类：

一、使用寿命测试项目（Life test items）

EFR：早期失效等级测试（Early fail Rate Test）

主张：评估工艺的不变性，加快缺点失效能，剔除因先性子原因失效的产品。

测试前提：在特按功夫内动态提高温度和电压对产品进行测试。

失效机造：资料或工艺的缺点，蕴含氧化层缺点、金属刻镀问题、离子玷污等出产过程造成的失效。

参考尺度：JESD22 - A108 - AEIAJED - 4701 - D101

HTOL/LTOL：高/低温操作性命期试验（High/Low Temperature Operating Life）

主张：评估器件在超热和超电压情况下一段功夫的耐久能力。

测试前提：125℃，1.1VCC，动态测试。

失效机造：电子迁徙、氧化层分裂、相互扩散、不不变性、离子玷污等。

参考数据：125℃前提下1000幼时测试通过，IC可保障持续使用4年；2000幼时测试通过，可持续使用8年；150℃ 1000幼时测试通过保障使用8年，2000幼时保障使用28年。

参考尺度：MIT - STD - 883E Method 1005.8、JESD22 - A108 - AEIAJED - 4701 - D101

二、环境测试项目（Environmental test items）

PRE - CON：预处置测试（Precondition Test）

主张：仿照IC在使用前于肯定湿度和温度前提下存储的耐久力，即IC从出产到使用期间存储的靠得住性。

THB：加快式温湿度及偏压测试（Temperature Humidity Bias Test）

主张：评估IC产品在高温、高湿、偏压前提下对湿气的抵抗能力，加快其失效过程。

测试前提：85℃，85%RH，1.1 VCC，Static bias。

失效机造：电解侵蚀。

参考尺度：JESD22 - A101 - DEIAJED - 4701 - D122

高加快温湿度及偏压测试（HAST: Highly Accelerated Stress Test）

主张：评估IC产品在偏压下高温、高湿、高气压前提下对湿度的抵抗能力，加快其失效过程。

测试前提：130℃，85%RH，1.1 VCC，Static bias，2.3 atm。

失效机造：电离侵蚀、封装密封性问题。

参考尺度：JESD22 - A110

PCT：高压蒸煮试验（Pressure Cook Test (Autoclave Test)）

主张：评估IC产品在高温、高湿、高气压前提下对湿度的抵抗能力，加快其失效过程。

测试前提：130℃，85%RH，Static bias，15PSIG（2 atm）。

失效机造：化学金属侵蚀、封装密封性问题。

参考尺度：JESD22 - A102、EIAJED - 4701 - B123

* HAST与THB的区别在于HAST温度更高且思考了压力成分，尝试功夫可缩短；而PCT不加偏压，但湿度更大。

TCT：凹凸温循环试验（Temperature Cycling Test）

主张：评估IC产品中拥有分歧热膨胀系数的金属之间界面的接触良率。步骤是通过循环流动的空气使温度在高和善低温之间反复变动。

测试前提：Condition B: - 55℃至125℃；Condition C: - 65℃至150℃。

失效机造：电介质断裂、导体和绝缘体断裂、分歧界面分层。

参考尺度：MIT - STD - 883E Method 1010.7、JESD22 - A104 - AEIAJED - 4701 - B - 131

TST：凹凸温冲击试验（Thermal Shock Test）

主张：评估IC产品中拥有分歧热膨胀系数的金属之间界面的接触良率。步骤是通过循环流动的液体使温度在高和善低温之间反复变动。

测试前提：Condition B: - 55℃至125℃；Condition C: - 65℃至150℃。

失效机造：电介质断裂、资料老化（如bond wires）、导体机械变形。

参考尺度：MIT - STD - 883E Method 1011.9、JESD22 - B106、EIAJED - 4701 - B - 141

* TCT与TST的区别在于TCT侧重于package的测试，而TST侧重于晶园的测试。

HTST：高温贮存试验（High Temperature Storage Life Test）

主张：评估IC产品在现实使用前，在高温前提下维持数年不工作状态的寿命。

测试前提：150℃。

失效机造：化学和扩散效应、Au - Al共金效应。

参考尺度：MIT - STD - 883E Method 1008.2、JESD22 - A103 - A、EIAJED - 4701 - B111

可焊性试验（Solderability Test）

主张：评估IC leads在粘锡过程中的靠得住性。

测试步骤：Step1：蒸汽老化8幼时；Step2：浸入245℃锡盆中5秒。

失效尺度（Failure Criterion）：至少95％良率。

具体的测试前提和估算了局可参考以下尺度：MIT - STD - 883E Method 2003.7、JESD22 - B102

SHT Test:焊接热量耐久测试（Solder Heat Resistivity Test）

主张：评估IC对瞬间高温的敏感度。

测试步骤：侵入260℃锡盆中10秒。

失效尺度（Failure Criterion）：凭据电测试了局。

具体的测试前提和估算了局可参考以下尺度：MIT - STD - 883E Method 2003.7、EIAJED - 4701 - B106

三、耐久性测试项目（Endurance test items）

周期耐久性测试（Endurance Cycling Test）

主张：评估非挥发性memory器件在屡次读写算后的悠久机能。

测试步骤：将数据写入memory的存储单元，再擦除数据，反复该过程屡次。

测试前提：室温或更高温度，每个数据的读写次数达到100k ~ 1000k。

参考尺度：MIT - STD - 883E Method 1033

数据维持力测试（Data Retention Test）

主张：在反复读写后，加快非挥发性memory器件存储节点的电荷损失。

测试前提：在高温前提下将数据写入memory存储单元后，屡次读取并验证单元中的数据。

失效机造：150℃